ojú ìwé_àmì

Ohun èlò ìparí seramiki Silicon Carbide (SiC) – Gíga gíga fún mímú Wafer ní ìwọ̀n otútù gíga

Ohun èlò ìparí seramiki Silicon Carbide (SiC) – Gíga gíga fún mímú Wafer ní ìwọ̀n otútù gíga

Àpèjúwe Kúkúrú:

A ṣe apẹja ìpari seramiki ti St.Cera lati inu ohun elo silikoni carbide ti o ni mimọ pupọ (SiC akoonu 99.72%, Si 0.05%) ni lilo ohun elo S1111. O ni awọn agbara ẹrọ ti o tayọ: agbara flexural 449 MPa (ti a wọn), modulus rirọ 457 GPa (ti a wọn), ati lile Vickers 25–28 GPa (ti a ṣe deede). Iwọn iwuwo kekere (3.10–3.15 g/cm³, ti a ṣe deede) pese lile pataki kan, ti o dara julọ fun awọn robot gbigbe wafer iyara giga. Pẹlu agbara ooru ti 120–150 W/m·K (ti a ṣe deede) ati iye imugboroosi ooru ti 4.0–4.5×10⁻⁶/℃ (ti a ṣe deede), apẹja opin yii n tu ooru kuro daradara o si n ṣetọju iduroṣinṣin iwọn lakoko mimu otutu giga (titi de 1600–1700°C, laisi ẹru). Awọ dudu/grẹy ati gbigba omi odo rii daju pe yara mimọ ni ibamu.


Àlàyé Ọjà

Àwọn àmì ọjà

A ṣe apẹja ìpari seramiki ti St.Cera lati inu ohun elo silikoni carbide ti o ni mimọ pupọ (SiC akoonu 99.72%, Si 0.05%) ni lilo ohun elo S1111. O ni awọn agbara ẹrọ ti o tayọ: agbara flexural 449 MPa (ti a wọn), modulus rirọ 457 GPa (ti a wọn), ati lile Vickers 25–28 GPa (ti a ṣe deede). Iwọn iwuwo kekere (3.10–3.15 g/cm³, ti a ṣe deede) pese lile pataki kan, ti o dara julọ fun awọn robot gbigbe wafer iyara giga. Pẹlu agbara ooru ti 120–150 W/m·K (ti a ṣe deede) ati iye imugboroosi ooru ti 4.0–4.5×10⁻⁶/℃ (ti a ṣe deede), apẹja opin yii n tu ooru kuro daradara o si n ṣetọju iduroṣinṣin iwọn lakoko mimu otutu giga (titi de 1600–1700°C, laisi ẹru). Awọ dudu/grẹy ati gbigba omi odo rii daju pe yara mimọ ni ibamu.

 

Àwọn ìlànà pàtó(da lori ijabọ idanwo SiC S1111 ti a pese ati awọn iye deede):

Ohun ìní Iye
Ohun èlò SiC (99.72% SiC, 0.05% Si Ọ̀fẹ́)
Àwọ̀ Dúdú/Grẹ́ẹ̀sì
Ìwọ̀n 3.10–3.15 g/cm³
Ìfàmọ́ra Omi 0%
Agbára Rírọ̀ 449 MPa (apapọ)
Agbara ìfọ́ 3.12 MPa·m¹/² (àròpín)
Modulu Rirọ 457 GPA
Líle Vickers 25–28 GPA
Ìgbékalẹ̀ Ooru (25°C) 120–150 W/m·K
CTE (25–1000°C) 4.0–4.5×10⁻⁶/℃
Iwọn otutu lilo to pọ julọ (ko si ẹru) 1600–1700°C

 

Awọn ohun elo:

● Mimu wafer ti o ni iwọn otutu giga (lẹhin-anneal, RTP, epitaxy)

● Awọn yàrá ìfọ́mọ plasma tí ó nílò ìdènà ìfọ́mọ ga

● Àwọn rọ́bọ́ọ̀tì ìgbésẹ̀ oníyára gíga (fúyẹ́, líle gíga)

 

Iṣelọpọ:

Ṣíṣe àtúnṣe lulú SiC → pípẹ́ CNC ti profaili apa ati awọn ẹya fifi sori ẹrọ → fifi dada → mimọ ultrasonic. Ayẹwo iwọn 100% ati idanwo jijo helium fun awọn ohun elo igbale.

 

Iṣakoso Didara:

● Àyẹ̀wò CMM ti gígùn, fífẹ̀, àti fífẹ̀

● Idanwo agbara rọra fun ipele kọọkan (fun boṣewa ijabọ idanwo)

● Ayẹwo oju labẹ maikirosikopu fun awọn abawọn oju ilẹ

 

Àwọn àǹfààní lórí Alumina tàbí Irin:

● modulus rirọ ti o ga ju 2× lọ (457 vs ~380 GPa fun alumina) – iyipada ti o kere si

● Ìgbékalẹ̀ ooru tó ga jù 3× – ìtújáde ooru tó yára jù

● Ó dúró ṣinṣin ju 1600°C lọ sí 800°C nínú afẹ́fẹ́ alumina

● Ìwọ̀n tó kéré ju irin lọ – ìdínkù ìwọ̀n 40%

 

Ṣíṣe àtúnṣe:

Gígùn rẹ̀ jẹ́ 150–450 mm, àwọn ìrísí orí rẹ̀ (ìdìmú etí rẹ̀, Bernoulli, pẹ̀lẹ́pẹ̀lẹ́), àwọn àpẹẹrẹ flange tí a gbé kalẹ̀ gẹ́gẹ́ bí àwòrán OEM.

*Gbogbo data ẹrọ ti o wa loke wa lati ijabọ idanwo ti a pese (batch S1111). Awọn iye ooru ati lile jẹ deede fun ipele SiC yii; jọwọ kan si wa fun iwe-ẹri pato-pupọ.


  • Ti tẹlẹ:
  • Itele: