Ohun èlò ìfọṣọ onírin tí a fi silicon Carbide (SiC) ṣe fún àwọn àyíká tí ó ní ìwọ̀n otútù gíga àti plasma
A ṣe àgbékalẹ̀ seramiki ti a fi SiC ṣe láti inú ohun èlò irin alagbara ti silikoni (batch S1111, SiC 99.72%, free Si 0.05%). Ó ń fúnni ní agbára ìfọ́ tí a wọ̀n ti 449 MPa, líle ìfọ́ ti 3.12 MPa·m¹/², àti modulus rirọ ti 457 GPa. Ìlànà ooru tí ó wọ́pọ̀ tí ohun èlò náà ní (120–150 W/m·K) àti ìfàsẹ́yìn ooru tí ó kéré (4.0–4.5×10⁻⁶/℃) ń jẹ́ kí ìlọsókè otutu yára kíákíá àti wíwọ́ wafer díẹ̀ nígbà yíyípo ooru. A lè ṣe àgbékalẹ̀ chuck náà gẹ́gẹ́ bí ohun èlò ìfọ́ oníhò (ìṣàn gaasi kan) tàbí ohun èlò ìfọwọ́sowọ́pọ̀ tí a fi gún régé. Pẹ̀lú ìwọ̀n otútù lílò tí ó pọ̀ jùlọ ti 1600–1700°C (kò sí ẹrù) àti agbára ìfọ́ plasma tí ó tayọ, ohun èlò yìí dára fún ṣíṣe wafer oníwọ̀n otútù gíga (annealing, RTP) àti àwọn yàrá etch oníjàgídíjàgan níbi tí àwọn ohun èlò alumina ti ń bàjẹ́.
Àwọn ìlànà pàtó(da lori ijabọ idanwo SiC S1111 ti a pese ati awọn iye deede):
| Ohun ìní | Iye |
| Ohun èlò | SiC (99.72% SiC, 0.05% Si Ọ̀fẹ́) |
| Ìwọ̀n | 3.10–3.15 g/cm³ |
| Ìfàmọ́ra Omi | 0% |
| Agbára Rírọ̀ | 449 MPa |
| Agbara ìfọ́ | 3.12 MPa·m¹/² |
| Modulu Rirọ | 457 GPA |
| Líle Vickers | 25–28 GPA |
| Ìgbékalẹ̀ Ooru | 120–150 W/m·K |
| CTE (25–1000°C) | 4.0–4.5×10⁻⁶/℃ |
| Iwọn otutu lilo to pọ julọ (ko si ẹru) | 1600–1700°C |
| Pípẹ́ (ju 300mm lọ) | ≤5 μm |
| Ipari oju ilẹ | Ra ≤0.4 μm (tí a fi àlà sí) |
Awọn ohun elo:
● Ìmúgbòòrò ooru gíga (ìmúgbòòrò ooru, RTP, ìdàgbàsókè epitaxial)
● Idẹ etch plasma pẹlu resistance fluorine giga
● Mimu wafer tinrin pẹlu igbona/itutu deede
● Àpò ìfọ́ tí ó ní ihò fún àtìlẹ́yìn wafer tí kì í ṣe ìfọwọ́kàn
Iṣelọpọ:
Síntérì SiC → lílọ títọ́ títẹ́jú àti ìrísí ojú ilẹ̀ → ìṣẹ̀dá ìrísí oníhò tí ó ṣeé ṣe (fún ìgbálẹ̀) → lípípa → ìwẹ̀nùmọ́ ultrasonic. A ṣe àyẹ̀wò ìgbálẹ̀ kọ̀ọ̀kan 100% fún fífẹ̀ (interferometer lésà) àti ìṣọ̀kan ìgbálẹ̀ (ìdánwò ìṣàn).
Iṣakoso Didara:
● Ṣíṣàyẹ̀wò ìwọ̀n CMM (ìwọ̀n ìbú, ìwúwo, ipò ihò)
● Ìwọ̀n ìrọ̀rùn gẹ́gẹ́ bí ASTM ṣe wíwọ̀n
● Idanwo jijo helium (fun awọn apoti afọmọ)
● Ìdánilójú agbára ìrọ̀rùn fún gbogbo ẹgbẹ́ (ìròyìn ìdánwò tí a tọ́ka sí)
Awọn anfani lori Alumina Chucks:
● Ìgbésẹ̀ ooru tó ga jù (120–150 vs 32 W/m·K fún alumina) – Ìgbésẹ̀ ooru tó yára ju 4× lọ
● CTE kekere (4.0 vs 7.2×10⁻⁶/℃) – dinku wahala ooru wafer
● Agbara pilasima ti o ga julọ - igbesi aye gigun 10 × ninu etch fluorine
● Iwọn otutu lilo ti o ga julọ (1600°C vs 800°C fun alumina)
Ṣíṣe àtúnṣe:
● Ojú ilẹ̀ tó ní ihò tàbí tó ní ihò
● Ìwọ̀n ìbú 100–450 mm, yíká tàbí onígun mẹ́rin
● Oruka ìdènà eti tabi awọn ipin igbale agbegbe
● Aṣayan atilẹyin irin fun fifi sori ẹrọ lile giga
Gbogbo data ẹ̀rọ tí a kọ lókè yìí wá láti inú ìròyìn ìdánwò tí a pèsè (àkójọ S1111). Àwọn ìwọ̀n ooru àti líle jẹ́ ohun tí ó wọ́pọ̀ fún ìpele SiC yìí. Àwọn chucks SiC oníhò nílò àfikún ìṣiṣẹ́; jọ̀wọ́ béèrè fún wíwà porosity àti ìwọ̀n pores pàtó.
