ojú ìwé_àmì

Àwọn ọjà

  • Awọn ẹya seramiki Alumina Giga-Precision Oruka seramiki

    Awọn ẹya seramiki Alumina Giga-Precision Oruka seramiki

    A ṣe é nípa títẹ isostatic tútù tí a sì fi síntì lábẹ́ ooru gíga, lẹ́yìn náà a fi ẹ̀rọ tí ó péye ṣe é tí a sì fi dán an wò, àwọn ohun èlò ìtọ́jú seramiki náà lè bá àwọn ohun èlò semiconductor mu pẹ̀lú àwọn ànímọ́ rẹ̀ bíi resistance yíyà, resistance ipata, ìfàsẹ́yìn ooru tí ó lọ sílẹ̀, àti ìdábòbò. Àwọn ohun èlò seramiki lè ṣiṣẹ́ nínú ọ̀pọ̀lọpọ̀ irú ohun èlò ìṣẹ̀dá semiconductor pẹ̀lú ipò otutu gíga, vacuum tàbí corrosion gaasi fún ìgbà pípẹ́.

    A ṣe é láti inú lulú alumina tó mọ́ tónítóní, tí a fi ìtẹ̀sí isostatic tútù ṣe, síntering otutu tó ga àti ìparí pípé, ó lè dé ìfaradà ìwọ̀n sí ±0.001 mm, ìparí ojú ilẹ̀ Ra 0.1, ìfaradà otutu sí 1600℃.

  • ST.CERA Ohun elo Semiconductor ti a ṣe adani ti awọn ohun elo seramiki

    ST.CERA Ohun elo Semiconductor ti a ṣe adani ti awọn ohun elo seramiki

    A ṣe é nípa títẹ isostatic tútù tí a sì fi síntì lábẹ́ ooru gíga, lẹ́yìn náà a fi ẹ̀rọ tí ó péye ṣe é tí a sì fi dán an wò, àwọn ohun èlò ìtọ́jú seramiki náà lè bá àwọn ohun èlò semiconductor mu pẹ̀lú àwọn ànímọ́ rẹ̀ bíi resistance yíyà, resistance ipata, ìfàsẹ́yìn ooru tí ó lọ sílẹ̀, àti ìdábòbò. Àwọn ohun èlò seramiki lè ṣiṣẹ́ nínú ọ̀pọ̀lọpọ̀ irú ohun èlò ìṣẹ̀dá semiconductor pẹ̀lú ipò otutu gíga, vacuum tàbí corrosion gaasi fún ìgbà pípẹ́.

    A ṣe é láti inú lulú alumina tó mọ́ tónítóní, tí a fi ìtẹ̀sí isostatic tútù ṣe, síntering otutu tó ga àti ìparí pípé, ó lè dé ìfaradà ìwọ̀n sí ±0.001 mm, ìparí ojú ilẹ̀ Ra 0.1, ìfaradà otutu sí 1600℃.

  • Ohun èlò ìparí seramiki Silicon Carbide (SiC) – Gíga gíga fún mímú Wafer ní ìwọ̀n otútù gíga

    Ohun èlò ìparí seramiki Silicon Carbide (SiC) – Gíga gíga fún mímú Wafer ní ìwọ̀n otútù gíga

    A ṣe apẹja ìpari seramiki ti St.Cera lati inu ohun elo silikoni carbide ti o ni mimọ pupọ (SiC akoonu 99.72%, Si 0.05%) ni lilo ohun elo S1111. O ni awọn agbara ẹrọ ti o tayọ: agbara flexural 449 MPa (ti a wọn), modulus rirọ 457 GPa (ti a wọn), ati lile Vickers 25–28 GPa (ti a ṣe deede). Iwọn iwuwo kekere (3.10–3.15 g/cm³, ti a ṣe deede) pese lile pataki kan, ti o dara julọ fun awọn robot gbigbe wafer iyara giga. Pẹlu agbara ooru ti 120–150 W/m·K (ti a ṣe deede) ati iye imugboroosi ooru ti 4.0–4.5×10⁻⁶/℃ (ti a ṣe deede), apẹja opin yii n tu ooru kuro daradara o si n ṣetọju iduroṣinṣin iwọn lakoko mimu otutu giga (titi de 1600–1700°C, laisi ẹru). Awọ dudu/grẹy ati gbigba omi odo rii daju pe yara mimọ ni ibamu.

  • Ohun èlò ìfọṣọ onírin tí a fi silicon Carbide (SiC) ṣe fún àwọn àyíká tí ó ní ìwọ̀n otútù gíga àti plasma

    Ohun èlò ìfọṣọ onírin tí a fi silicon Carbide (SiC) ṣe fún àwọn àyíká tí ó ní ìwọ̀n otútù gíga àti plasma

    A ṣe àgbékalẹ̀ seramiki ti a fi SiC ṣe láti inú ohun èlò irin alagbara ti silikoni (batch S1111, SiC 99.72%, free Si 0.05%). Ó ń fúnni ní agbára ìfọ́ tí a wọ̀n ti 449 MPa, líle ìfọ́ ti 3.12 MPa·m¹/², àti modulus rirọ ti 457 GPa. Ìlànà ooru tí ó wọ́pọ̀ tí ohun èlò náà ní (120–150 W/m·K) àti ìfàsẹ́yìn ooru tí ó kéré (4.0–4.5×10⁻⁶/℃) ń jẹ́ kí ìlọsókè otutu yára kíákíá àti wíwọ́ wafer díẹ̀ nígbà yíyípo ooru. A lè ṣe àgbékalẹ̀ chuck náà gẹ́gẹ́ bí ohun èlò ìfọ́ oníhò (ìṣàn gaasi kan) tàbí ohun èlò ìfọwọ́sowọ́pọ̀ tí a fi gún régé. Pẹ̀lú ìwọ̀n otútù lílò tí ó pọ̀ jùlọ ti 1600–1700°C (kò sí ẹrù) àti agbára ìfọ́ plasma tí ó tayọ, ohun èlò yìí dára fún ṣíṣe wafer oníwọ̀n otútù gíga (annealing, RTP) àti àwọn yàrá etch oníjàgídíjàgan níbi tí àwọn ohun èlò alumina ti ń bàjẹ́.

  • Ohun elo Semiconductor Awọn ẹya ara Seramiki Awọn ọkọ Seramiki

    Ohun elo Semiconductor Awọn ẹya ara Seramiki Awọn ọkọ Seramiki

    A ṣe é nípa títẹ isostatic tútù tí a sì fi síntì lábẹ́ ooru gíga, lẹ́yìn náà a fi ẹ̀rọ tí ó péye ṣe é tí a sì fi dán an wò, àwọn ohun èlò ìtọ́jú seramiki náà lè bá àwọn ohun èlò semiconductor mu pẹ̀lú àwọn ànímọ́ rẹ̀ bíi resistance yíyà, resistance ipata, ìfàsẹ́yìn ooru tí ó lọ sílẹ̀, àti ìdábòbò. Àwọn ohun èlò seramiki lè ṣiṣẹ́ nínú ọ̀pọ̀lọpọ̀ irú ohun èlò ìṣẹ̀dá semiconductor pẹ̀lú ipò otutu gíga, vacuum tàbí corrosion gaasi fún ìgbà pípẹ́.

    A ṣe é láti inú lulú alumina tó mọ́ tónítóní, tí a fi ìtẹ̀sí isostatic tútù ṣe, síntering otutu tó ga àti ìparí pípé, ó lè dé ìfaradà ìwọ̀n sí ±0.001 mm, ìparí ojú ilẹ̀ Ra 0.1, ìfaradà otutu sí 1600℃.

  • Oruka lilọ seramiki ti a fi irin ṣe fun irin fun awọn ohun elo fifa lile giga

    Oruka lilọ seramiki ti a fi irin ṣe fun irin fun awọn ohun elo fifa lile giga

    Òrùka ìlọ alumina onírin St.Cera so ìpele ìfọwọ́sowọ́pọ̀ alumina oníwà mímọ́ gíga (99.8% Al₂O₃) pẹ̀lú àtìlẹ́yìn irin tí a fi irin ṣe (ní pàtàkì aluminiomu tàbí irin alagbara). Apẹẹrẹ àdàpọ̀ yìí ń pese ìdènà ìfọwọ́sowọ́pọ̀ àti àìlera kẹ́míkà ti seramiki lórí ilẹ̀ ìlọ, nígbàtí ìpìlẹ̀ irin náà ń fi agbára ẹ̀rọ kún un, ìsopọ̀ tí ó rọrùn, àti ìdènà sí ìfọ́ tí ó bàjẹ́. Ìpele alumina náà ń fúnni ní agbára ìfọ́ ti 361 MPa, líle Vickers ti 16 GPa, àti ìdúróṣinṣin ooru títí dé 800°C. A ṣe àtúnṣe ìpìlẹ̀ irin náà pẹ̀lú àwọn ihò ìsopọ̀, àwọn pinni ibi tí a ti lè rí, tàbí àwọn ohun-ìní oofa fún ìsopọ̀ mọ́ àwọn ẹ̀rọ ìfọ́, àwọn ohun èlò ìlọ pílánẹ́ẹ̀tì, àti àwọn ohun èlò CMP.

  • Àwọn Ohun Èlò Ìtọ́jú Abẹ́rẹ́ Símíkì fún Ẹ̀rọ Ìtọ́jú Abẹ́rẹ́ Símímíkì

    Àwọn Ohun Èlò Ìtọ́jú Abẹ́rẹ́ Símíkì fún Ẹ̀rọ Ìtọ́jú Abẹ́rẹ́ Símímíkì

    A ṣe é nípa títẹ isostatic tútù tí a sì fi síntì lábẹ́ ooru gíga, lẹ́yìn náà a fi ẹ̀rọ tí ó péye ṣe é tí a sì fi dán an wò, àwọn ohun èlò ìtọ́jú seramiki náà lè bá àwọn ohun èlò semiconductor mu pẹ̀lú àwọn ànímọ́ rẹ̀ bíi resistance yíyà, resistance ipata, ìfàsẹ́yìn ooru tí ó lọ sílẹ̀, àti ìdábòbò. Àwọn ohun èlò seramiki lè ṣiṣẹ́ nínú ọ̀pọ̀lọpọ̀ irú ohun èlò ìṣẹ̀dá semiconductor pẹ̀lú ipò otutu gíga, vacuum tàbí corrosion gaasi fún ìgbà pípẹ́.

    A ṣe é láti inú lulú alumina tó mọ́ tónítóní, tí a fi ìtẹ̀sí isostatic tútù ṣe, síntering otutu tó ga àti ìparí pípé, ó lè dé ìfaradà ìwọ̀n sí ±0.001 mm, ìparí ojú ilẹ̀ Ra 0.1, ìfaradà otutu sí 1600℃.

  • Ṣíṣe àdáni ti Al2O3 seramiki wafer Chuck

    Ṣíṣe àdáni ti Al2O3 seramiki wafer Chuck

    A ṣe é nípa títẹ isostatic tútù tí a sì fi síntì lábẹ́ ooru gíga, lẹ́yìn náà a fi ẹ̀rọ tí ó péye ṣe é tí a sì fi dán an wò, àwọn ohun èlò ìtọ́jú seramiki náà lè bá àwọn ohun èlò semiconductor mu pẹ̀lú àwọn ànímọ́ rẹ̀ bíi resistance yíyà, resistance ipata, ìfàsẹ́yìn ooru tí ó lọ sílẹ̀, àti ìdábòbò. Àwọn ohun èlò seramiki lè ṣiṣẹ́ nínú ọ̀pọ̀lọpọ̀ irú ohun èlò ìṣẹ̀dá semiconductor pẹ̀lú ipò otutu gíga, vacuum tàbí corrosion gaasi fún ìgbà pípẹ́.

    A ṣe é láti inú lulú alumina tó mọ́ tónítóní, tí a fi ìtẹ̀sí isostatic tútù ṣe, síntering otutu tó ga àti ìparí pípé, ó lè dé ìfaradà ìwọ̀n sí ±0.001 mm, ìparí ojú ilẹ̀ Ra 0.1, ìfaradà otutu sí 1600℃.

  • ST.CERA Ohun elo Semiconductor ti a ṣe adani Awo Seramiki

    ST.CERA Ohun elo Semiconductor ti a ṣe adani Awo Seramiki

    A ṣe é nípa títẹ isostatic tútù tí a sì fi síntì lábẹ́ ooru gíga, lẹ́yìn náà a fi ẹ̀rọ tí ó péye ṣe é tí a sì fi dán an wò, àwọn ohun èlò ìtọ́jú seramiki náà lè bá àwọn ohun èlò semiconductor mu pẹ̀lú àwọn ànímọ́ rẹ̀ bíi resistance yíyà, resistance ipata, ìfàsẹ́yìn ooru tí ó lọ sílẹ̀, àti ìdábòbò. Àwọn ohun èlò seramiki lè ṣiṣẹ́ nínú ọ̀pọ̀lọpọ̀ irú ohun èlò ìṣẹ̀dá semiconductor pẹ̀lú ipò otutu gíga, vacuum tàbí corrosion gaasi fún ìgbà pípẹ́.

    A ṣe é láti inú lulú alumina tó mọ́ tónítóní, tí a fi ìtẹ̀sí isostatic tútù ṣe, síntering otutu tó ga àti ìparí pípé, ó lè dé ìfaradà ìwọ̀n sí ±0.001 mm, ìparí ojú ilẹ̀ Ra 0.1, ìfaradà otutu sí 1600℃.

  • Ẹ̀rọ ìpamọ́ alumina 12-Inch fún ìtọ́jú wafer 300mm

    Ẹ̀rọ ìpamọ́ alumina 12-Inch fún ìtọ́jú wafer 300mm

    A ṣe àgbékalẹ̀ ìfọ́mọ́ ìfọ́mọ́ ìyẹ́n 12 ti St.Cera láti inú alumina gíga-gíga (Al₂O₃) fún mímú wafer 300mm. Iṣẹ́ náà ní ojú ilẹ̀ tí a fi àlàfo gún (ìwọ̀n ihò 0.5–1.0 mm, ìpele 2–3 mm) láti rí i dájú pé a pín in sí gbogbo ìwọ̀n 300mm. A ń tọ́jú rẹ̀ dáadáa láàrín 5 μm, èyí tí ó ń jẹ́ kí a lè fi wafer tí kò ní ìfọ́mọ́ nígbà tí a bá ń gé e, tí a ń lọ̀ sí ẹ̀yìn, àti tí a ń ṣe àyẹ̀wò rẹ̀. Agbára ìfọ́mọ́ ìfọ́mọ́ ìyẹ́n gíga ti ohun èlò náà (361 MPa) àti líle (16 GPa) ń ṣe ìdánilójú ìdúróṣinṣin oníwọ̀n ìgbà pípẹ́ kódà lábẹ́ àwọn ìyípo ìfọ́mọ́ tí a ń tún ṣe.

  • Alumina Ceramic Effector pẹlu Integrated Vacuum Channels

    Alumina Ceramic Effector pẹlu Integrated Vacuum Channels

    Ẹ̀rọ ìfàsẹ́yìn alumina vacuum ti St.Cera ń so àwọn ikanni vacuum tí a fi ẹ̀rọ ṣe àti àwọn ihò fífà sínú ara alumina tí ó ní ìmọ́tótó gíga 99.8%. Apẹẹrẹ yìí ń mú àwọn pádì vacuum tí ó wà níta kúrò, èyí tí ó ń jẹ́ kí a gba wafer direct pickup pẹ̀lú agbára ìdúróṣinṣin kan náà. Agbára flexural gíga ti ohun èlò náà (361 MPa) àti líle (16 GPa) ń rí i dájú pé ó dúró ṣinṣin ní ìwọ̀n gígùn lábẹ́ àwọn ìyípo vacuum tí a ń tún ṣe. A ń pa ibi tí a fi pad ṣe mọ́ láàrín 10 μm, èyí tí ó ń dènà wahala wafer àti ìfọ́. Àwọn ibùdó vacuum wà ní flange ìfìkọ́lé ẹ̀yìn fún ìsopọ̀ pẹ̀lú àwọn apá robot OEM.

  • Àwọn Ẹ̀yà Seramiki Alumina Ailewu ESD fún Mímú Wafer Onímọ̀lára Láìdúró

    Àwọn Ẹ̀yà Seramiki Alumina Ailewu ESD fún Mímú Wafer Onímọ̀lára Láìdúró

    Àwọn ẹ̀yà seramiki alumina tó ní ààbò ESD (electrostatic discharge) tí St.Cera ṣe ni a fi 99.8% Al₂O₃ tó ní ìmọ́tótó gíga, tí a ṣe nípasẹ̀ ìlànà doping tàbí coating. Àwọn ẹ̀yà wọ̀nyí máa ń tú agbára ìdúróṣinṣin kúrò, wọ́n sì ń dènà ìbàjẹ́ electrostatic sí àwọn wafers semiconductor tó ní ìmọ̀lára àti àwọn ẹ̀rọ. Ohun èlò ìpìlẹ̀ náà máa ń ní agbára ìfọ́mọ́ra gíga (361 MPa), líle (16 GPa), àti agbára dielectric (15×10⁶ V/m). Àwọn ẹ̀yà seramiki tó ní ààbò ESD ní àwọn ohun èlò ìparí, àwọn pinni gbígbé, àwọn irin ìtọ́sọ́nà, àti àwọn ohun èlò àdáni fún ìdánilẹ́kọ̀ọ́ FAB.